特許

J-GLOBAL ID：200903082428216743

プラズマ処理装置

発明者： 田村 仁 ,  渡辺 成一 ,  古瀬 宗雄 ,  角屋 誠浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236171
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083895
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】高品質なプラズマ処理が得られる条件と均一なプラズマ処理が得られる条件とは必ずしも一致せず、従来、被処理基板上の広い面積にわたって高品質で均一なプラズマ処理を得られなかった。【解決手段】複数のパラメータ群を持つプラズマ処理手段としてマイクロ波プラズマ処理装置を用い、プラズマ処理品質と独立に均一性を調整できるパラメータを調整、すなわち、プラズマ処理の品質は投入するマイクロ波の電力,処理圧力,処理ガス供給量等のパラメータにより調整しておき、マイクロ波の電磁界分布を調整することによりプラズマ分布を調整しプラズマ処理の均一性を制御する。マイクロ波の電磁界分布は、空洞共振器104とマイクロ波磁界に対し所定の角度に傾斜したスロットアンテナ113とにより調整する。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、マイクロ波の導入を、所定の電磁界を得られるよう調整された空洞共振器、該空洞共振器に設けられた結合孔により該空洞共振器内のマイクロ波電力を導入窓を介して処理室にマイクロ波を放射することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 G