特許
J-GLOBAL ID:200903082434205940
半導体集積回路装置及びこれを用いた光ピックアップ装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
佐野 静夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-147761
公開番号(公開出願番号):特開2002-344253
出願日: 2001年05月17日
公開日(公表日): 2002年11月29日
要約:
【要約】【課題】 モノリシックに集積された受光アンプ回路であって、高周波領域で安定して動作するとともに低廉かつ応答性に優れた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 基準電圧Vrefを抵抗R1を介して非反転入力端子に、フォトダイオード3が送出する電流Ipを反転入力端子にそれぞれ入力し、電流Ipの値に応じた電圧Voutを出力端子に出力する差動増幅器2と、出力電圧Voutを負帰還させる抵抗R2と、差動増幅器2の出力端子と抵抗R2との接続点にエミッタが接続され、差動増幅器2の反転入力端子と抵抗R2との接続点にベースが接続され、所定の電圧Vccが印加される端子5にコレクタが接続されるNPN形トランジスタQ1と、を備える半導体集積回路装置。
請求項(抜粋):
受光素子が送出する電流を入力し電圧を出力する増幅器と、該増幅器の出力電圧を負帰還させる抵抗手段と、前記増幅器の出力端と前記抵抗手段との接続点にエミッタが接続され、前記増幅器の入力端と前記抵抗手段との接続点にベースが接続され、所定の電圧が印加される端子にコレクタが接続されるNPN形トランジスタと、を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件):
H03F 3/08
, G11B 7/13
, H03F 1/34
, H03F 3/45
FI (4件):
H03F 3/08
, G11B 7/13
, H03F 1/34
, H03F 3/45 B
Fターム (82件):
5D119AA01
, 5D119AA10
, 5D119AA40
, 5D119BA01
, 5D119KA02
, 5D119KA43
, 5J066AA01
, 5J066AA47
, 5J066AA56
, 5J066CA18
, 5J066CA65
, 5J066CA87
, 5J066CA91
, 5J066FA17
, 5J066FA19
, 5J066HA02
, 5J066HA25
, 5J066HA31
, 5J066HA44
, 5J066KA01
, 5J066KA02
, 5J066KA12
, 5J066KA16
, 5J066KA25
, 5J066KA27
, 5J066KA47
, 5J066MA13
, 5J066MA21
, 5J066PD01
, 5J066SA01
, 5J066TA01
, 5J090AA01
, 5J090AA47
, 5J090AA56
, 5J090CA18
, 5J090CA65
, 5J090CA87
, 5J090CA91
, 5J090DN01
, 5J090FA17
, 5J090FA19
, 5J090HA02
, 5J090HA25
, 5J090HA31
, 5J090HA44
, 5J090HN06
, 5J090KA01
, 5J090KA02
, 5J090KA16
, 5J090KA25
, 5J090KA27
, 5J090KA47
, 5J090MA13
, 5J090MA21
, 5J090MN02
, 5J090NN14
, 5J090SA01
, 5J090TA01
, 5J092AA01
, 5J092AA47
, 5J092AA56
, 5J092CA18
, 5J092CA65
, 5J092CA87
, 5J092CA91
, 5J092FA17
, 5J092FA19
, 5J092HA02
, 5J092HA25
, 5J092HA31
, 5J092HA44
, 5J092KA01
, 5J092KA02
, 5J092KA16
, 5J092KA25
, 5J092KA27
, 5J092KA47
, 5J092MA13
, 5J092MA21
, 5J092SA01
, 5J092TA01
, 5J092UL02
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