特許

J-GLOBAL ID：200903082437117634

揮発性メモリおよびエンベッデッド・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

発明者： 樋口 崇
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188728
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021162
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 実際にリフレッシュを行うリフレッシュ領域をDRAMの外部から設定できるようにする。【解決手段】 外部から与えられる、リフレッシュを行う領域を示すリフレッシュ制御ビットを記憶するリフレッシュ制御レジスタ21を設ける。リフレッシュ制御レジスタ21に記憶されている内容RCBとリフレッシュアドレス生成回路11が出力するリフレッシュアドレスRAiとを比較するリフレッシュアドレス判定回路22を設ける。内部タイミング制御回路5Aは、リフレッシュアドレス判定回路22の判定結果に応じて、ロウデコーダ3とセンスアンプ4の動作を停止させる。

請求項（抜粋）：

セルフリフレッシュのモードに入っている場合でも、メモリアレイの領域の中の、制御信号に基づいて特定される領域に対しては前記セルフリフレッシュを行わないことを特徴とする揮発性メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/403 ,  G11C 11/406

FI (2件)：

G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 363 K

Fターム (5件)：

5B024AA01 ,  5B024BA29 ,  5B024CA16 ,  5B024DA18 ,  5B024DA20