特許

J-GLOBAL ID：200903082443874986

メトキシメチルトリアリールホスホニウムクロライドの製造法

発明者： 中田 浩司 ,  番能 忠 ,  梅野 正行
出願人/特許権者： 北興化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191397
公開番号（公開出願番号）：特開2003-012680
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】本発明はメトキシメチルトリアリールホスホニウムクロライドを高収率、かつ高純度に製造する方法を提供すること。【解決手段】 芳香族炭化水素系溶媒中で、トリアリールホスフィン(1)、トリアリールホスフィン(1)に対して1.0〜1.2倍モルの酸クロライド(2)およびトリアリールホスフィン(1)に対して1.0〜1.5倍モルのメチラール(3)を、トリアリールホスフィン(1)に対して5〜10モル%の酸無水物(4)の存在下に30〜60°Cの温度範囲で反応を行うことを特徴とする、メトキシメチルトリアリールホスホニウムクロライド(5)の製造法。【化1】(式中、R1およびR2はC1〜C4の低級アルキル基を示し、Arは非置換フェニル基、C1〜C4の低級アルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基、ハロゲンまたはトリフロオロメチル基で置換されたフェニル基またはナフチル基を示す。)

請求項（抜粋）：

芳香族炭化水素系溶媒中で、トリアリールホスフィン(1)、トリアリールホスフィン(1)に対して1.0〜1.2倍モルの酸クロライド(2)およびトリアリールホスフィン(1)に対して1.0〜1.5倍モルのメチラール(3)を、トリアリールホスフィン(1)に対して5〜10モル%の酸無水物(4)の存在下に30〜60°Cの温度範囲で反応を行うことを特徴とする、メトキシメチルトリアリールホスホニウムクロライド(5)の製造法。【化1】(式中、R1およびR2はC1〜C8の低級アルキル基を示し、Arは非置換フェニル基、1〜3個の同一あるいは異なるC1〜C4の低級アルキル基、C1〜C4の低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはトリフロオロメチル基で置換されたフェニル基もしくはナフチル基を示す。)

Fターム (4件)：

4H050BB11 ,  4H050BC10 ,  4H050BC31 ,  4H050WA11