特許
J-GLOBAL ID：200903082445907873
強磁性トンネル効果素子及び該強磁性トンネル効果素子を用いた磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009367
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 強磁性体層にペロブスカイト酸化物磁性体を用いても室温付近で動作可能とする。【解決手段】 STO基板11上には、第1強磁性薄膜13、トンネル障壁層14及び第2強磁性薄膜15が、この順に積層されている。トンネル障壁層14は、非晶質SiO2で構成される。第1強磁性薄膜13及び第2強磁性薄膜15はペロブスカイト酸化粒磁性体で構成されるが、特に第2強磁性薄膜15は、1軸方向にのみ配向した多結晶のペロブスカイト酸化物磁性体で構成されている。
請求項（抜粋）：
トンネル障壁層を介して2つの強磁性体層を対向させた積層構造を有し、前記トンネル障壁層を介して流れるトンネル電流が前記2つの強磁性体層の相対的な磁化の向きに依存して変化する強磁性トンネル効果素子において、前記トンネル障壁層が、非晶質材料、多結晶材料、またはペロブスカイト結晶構造を持たない単結晶材料で構成され、前記2つの強磁性体層の少なくとも一方が、1軸方向にのみ配向したペロブスカイト酸化物磁性体で構成されていることを特徴とする強磁性トンネル効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/30
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA21
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA10
, 5E049AC01
, 5E049BA11
, 5E049CB02
, 5E049DB02
, 5E049DB12
