特許

J-GLOBAL ID：200903082456983024

水溶性ネガ型フォトレジスト

発明者： ホ、バン-チェイン ,  チェン、ジャン-ホン ,  高 野 洋 介 ,  ル、ピン-フン
出願人/特許権者： タイワン、セミコンダクター、マニュファクチャリング、カンパニー ,  クラリアント インターナショナル リミテッド
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153316
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348141
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】 フォトレジスト露光のパッキングおよびアンパッキング法のための、フォトレジストコーティングの最適な使用方法の提供。【解決手段】 狭い間隔を置いて配置されたコンタクトホールを形成させるためのフォトレジストの使用方法であって、第一フォトレジスト層の表面を、コンタクトホールの第一および第二パターンを含んでなる第一マスクを使用して露光し、前記コンタクトホールの第一および第二パターンに従って、第一フォトレジスト層に開口部を形成させ、第一フォトレジスト層の表面上に、第二ネガ型フォトレジスト層を堆積させ、前記コンタクトホールの第二パターンに従って、第二フォトレジスト層に開口部を形成させる方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

狭い間隔を置いて配置されたコンタクトホールを形成させるための水溶性ネガ型フォトレジスト使用方法であって、 コンタクトホールのパターンを形成させるための第一フォトレジスト層を備えた基材を用意する工程、 前記第一フォトレジスト層の表面を、コンタクトホールの第一および第二パターンを含んでなる第一マスクを使用して露光する工程、 前記コンタクトホールの第一および第二パターンに従って、前記第一フォトレジスト層に開口部を形成させる工程、 前記第一フォトレジスト層中に形成された前記開口部を含む前記第一フォトレジスト層の表面上に、第二ネガ型フォトレジスト層を堆積させる工程、および 前記コンタクトホールの第二パターンに従って、前記第二ネガ型フォトレジスト層に開口部を形成させる工程 を含んでなる、方法。

IPC (5件)：

G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (6件)：

G03F7/20 501 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/40 501 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570

Fターム (27件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025CB07 ,  2H025CB21 ,  2H025CB41 ,  2H025CB53 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096EA04 ,  2H096HA01 ,  2H097AA12 ,  2H097GB01 ,  2H097LA10 ,  5F046AA13 ,  5F046BA03 ,  5F046LA18 ,  5F046NA02

引用特許：

出願人引用 (9件)

• 米国特許出願公開第2003104319号明細書
  
• 米国特許第6664011号明細書
  
• 米国特許第5573634号明細書
  
• 米国特許第5308741号明細書
  
• 米国特許第5432644号明細書
  
• 米国特許第5017461号明細書
  
• 米国特許第5998092号明細書
  
• 米国特許第5648196号明細書
  
• 米国特許第5532113号明細書