特許

J-GLOBAL ID：200903082459486412

ダイヤモンドの気相成長法

発明者： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 上代 哲司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-254376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-107494
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】 気相合成法によるエピタキシャル成長を長時間維持し、均質かつ良質な厚膜ダイヤモンド単結晶層の製造方法を得る。【構成】 基板の主たる成長面の{100}面からのずれが10度以内であり、気相から最初にエピタキシャル成長をさせる、少なくとも0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])を2%以上の条件で成長させ、その後比率Aが2%未満の条件でエピタキシャル成長を続ける。【効果】 硼素や窒素などの種々のドーピングをした大面積のダイヤモンドが容易に得られる。したがって、工具、半導体基材、放熱基板、光学材料、音響振動板などに幅広く用いることができる。

請求項（抜粋）：

立方晶の単結晶基板上に少なくとも炭素と水素を含む気相からダイヤモンドをエピタキシャル成長させる方法であって、基板の主たる成長面の{100}面からのずれが10度以内であり、気相から最初にエピタキシャル成長をさせる、少なくとも0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])を2%以上の条件で成長させ、その後比率Aが2%未満の条件でエピタキシャル成長を続けることを特徴とするダイヤモンドの気相成長法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18