特許
J-GLOBAL ID：200903082461853791
微細構造体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253342
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094937
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 基板に垂直な方向により複雑な形状を有するアスペクト比の高い微細構造体を形成する方法を提供する。【構成】 基板1上に厚いレジスト層6を形成した後、マスク8で覆ってシンクロトロン放射光によるリソグラフィを行ないレジストパターンを形成する(図2(a))。次に、電気めっきを行なってレジストパターン9の谷間にNi構造体10を堆積する(図2(b))。以上のようなリソグラフィおよび電気めっきによる金属構造体の堆積を、基板1に垂直な方向に複数回繰返して複雑な形状の微細構造体やアスペクト比の高い微細構造体を得る。
請求項（抜粋）：
基板上に第1のレジスト層を形成した後、前記第1のレジスト層についてシンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いて第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに従って、前記基板上に第1の金属構造体を電気めっきにより堆積させる工程と、前記第1の金属構造体上に第2のレジスト層を形成した後、シンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いて第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンに従って、前記第1の金属構造体上に第2の金属構造体を電気めっきにより堆積させる工程とを備える、微細構造体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G01P 15/125
, H01L 29/84
