特許

J-GLOBAL ID：200903082466150632

半導体ウェーハの表面異物検査方法

発明者： 永井 清司 ,  米良 朋洋
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181209
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012686
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの表面異物検査において、パーティクルカウンタからSEMへの座標変換の正確度を把握し、これを修正する指針が得られるような機能を備えた半導体ウェーハの表面異物検査方法を提供する。【解決手段】 パーティクルカウンタで検出した異物の粗座標を、走査型電子顕微鏡等で異物検査を行う際の精座標に変換するに当たり、2個以上の異物の実測値座標を求め、これらの実測値座標を用いて最小自乗法により異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換において予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座標値との誤差を表示する。次に、3個目以降の異物の位置を検出し、かつ、それまでに求めた精座標の誤差精度を漸次向上して行く。前記最小自乗法による異物の精座標算出と、次の異物位置検出とを繰り返すことによって精座標の誤差精度の向上を確認しつつ、走査型電子顕微鏡等による異物の位置捕捉を容易にする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの表面に存在する異物の大きさ、構造、組成などを評価、検査する半導体ウェーハの表面異物検査において、(1)パーティクルカウンタで検出した異物の粗座標を、走査型電子顕微鏡等で異物検査を行う際の精座標に変換するに当たり、2個以上の異物の実測値座標を求め、(2)前記実測値座標を用いて最小自乗法により異物の精座標を定めるとともに、前記座標変換において予測した異物の座標値と精座標系で発見した異物の座標値との誤差を表示し、(3)3個目以降の異物の位置を検出した場合、予測した座標値と、発見した座標との誤差の表示により、この異物の正誤を判断し、それまでに求めた精座標の誤差精度を漸次向上して行き、(4)前記(2),(3)を繰り返すことによって精座標の誤差精度の向上を確認しつつ、走査型電子顕微鏡等による異物の位置捕捉を容易にすることを特徴とする半導体ウェーハの表面異物検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 21/00 ,  G01N 21/88

FI (6件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 L ,  G01B 21/00 C ,  G01B 21/00 F ,  G01N 21/88 E ,  G01N 21/88 J