半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331212
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150181
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造過程において混入する鉄、ニッケルなどの重金属汚染物質を半導体素子部から除去して歩留まりの低下を防ぐ製造方法の提供。【解決手段】素子分離の酸化膜を形成する際に使用される、耐酸化膜であるシリコン窒化膜をマスクとして、イオン注入を行う。このイオン注入のエネルギーは、イオンの投影飛程距離がシリコン窒化膜厚を超えない範囲とする。素子分離膜形成の際のバーズビークを利用するため、素子分離端から離れた位置にイオンの注入層が形成され、これがゲッタリングサイトとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に耐酸化性の性質を持つ膜を堆積する工程と、前記耐酸化膜を部分的に除去する工程と、を含み、前記耐酸化膜をマスクとして前記半導体基板を酸化して、素子分離領域を形成した後、前記耐酸化膜をマスクとしてイオン注入を行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 21/316 , H01L 21/322

FI (4件)：

H01L 21/76 S , H01L 21/316 X , H01L 21/322 J , H01L 21/265 604 X

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭51-040888
特開平2-054933
特開平3-273665

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