光電子発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中本宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234329
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066498
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】新しい原理に基づき、従来の超格子ヘテロ構造の量子サイズ効果を利用したものよりも高いエネルギーの発光が得られる基本構造を有した光電子発光素子を提供する。【構成】半導体基板1上に、(a)電子親和エネルギーの大きな半導体AとAよりも電子親和エネルギーの小さい半導体Bの超格子ヘテロ構造からなる1/4波長積層構造層2、(b)半導体Aからなるギャップ層3、(c)AとBからなる1対の電子波のブラッグ反射層4で半導体Aからなるドープ層5をはさんだ層、(d)誘電体からなるギャップ層6、(e)屈折率の異なる二種類の誘電体からなる1/4波長積層構造層7、を順次積層した構造を有する光電子発光素子とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、(a)電子親和エネルギーの大きな半導体AとAよりも電子親和エネルギーの小さい半導体Bの超格子ヘテロ構造からなる1/4波長積層構造層、(b)半導体Aからなるギャップ層、(c)AとBからなる1対の電子波のブラッグ反射層で半導体Aからなるドープ層をはさみこんだ層、(d)誘電体からなるギャップ層、(e)屈折率の異なる二種類の誘電体からなる1/4波長積層構造層、を順次積層した構造を有することを特徴とする光電子発光素子。

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