特許

J-GLOBAL ID：200903082469312145

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 下山 謙司 ,  佐藤 義人 ,  山内 敦典 ,  藤井 克司 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-010107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204234
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 キャリア濃度や膜厚が高度に制御された発光ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【構成】 厚さ5μm以上かつp型のAlGaAs系材料からなるクラッド層および/または光取り出し層を有し、このクラッド層および/または光取りだし層のドーピング不純物として炭素を含む発光ダイオード、およびIII族原料としてトリアルキルアルミニウムを用いた有機金属気相成長法を用いる発光ダイオードの製造方法。

請求項（抜粋）：

ドーパントとして炭素を含み、厚さ5μm以上のp型クラッド層および/または光取り出し層を有する発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205