特許

J-GLOBAL ID：200903082469422641

磁気素子

発明者： 猪俣 浩一郎 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234046
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079305
出願日： 1996年09月04日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 非磁性層を介して配置した磁性層間の互いに反平行なスピン状態を、反強磁性的交換結合や磁化固着等によらずに作り出し、これにより磁化曲線のヒステリシスを小さくする。【解決手段】 Si、GeおよびSiGe合金から選ばれる 1種からなる非磁性層3を介して配置された、Co、Ni、CoFe合金、NiFe合金およびCoNi合金から選ばれる 1種から主としてなる複数の磁性層2、4を有する積層膜を具備する磁気素子である。磁性層2、4と非磁性層3との界面には、これらの界面反応層である合金層3aが形成される。磁性層2、4はそれぞれ一軸磁気異方性を有し、かつ非磁性層3を介した磁性層2、4間の磁気結合は双2次の磁気結合が支配的である。

請求項（抜粋）：

非磁性層を介して配置された複数の磁性層を有する積層膜を具備する磁気素子であって、前記磁性層はそれぞれ一軸磁気異方性を有し、かつ前記非磁性層を介した前記磁性層間の磁気結合は双2次の磁気結合が支配的であることを特徴とする磁気素子。

IPC (3件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216181   出願人：株式会社東芝