特許

J-GLOBAL ID：200903082470646642

半導体装置の製造方法

発明者： 横山 夏樹 ,  日野出 憲治 ,  本間 喜夫 ,  向 喜一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070092
出願日： 1988年04月15日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【目的】 非常に微細でアスペクト比が大きく、かつ、側面が実質的に垂直な孔内に、均一な膜厚の窒化タングステン膜が形成されている、高集積密度で高信頼の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 段差部または開口部に、コールドウオール型のCVD装置を用いて窒化タングステン膜314を形成すること、または基体の温度を600°C以上に加熱して、基体の開口部に反応性スパッタ法を用いて窒化タングステン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

容器内に、表面に段差を有する基体を設置する工程と、前記容器内を減圧する工程と、前記基体の温度を前記容器の壁面の温度よりも高くする工程と、前記容器内に原料ガスを導入し、前記原料ガスを反応させて前記基体に窒化タングステン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/46 R