特許

J-GLOBAL ID：200903082471938051

半導体装置

発明者： 佐藤 浩哉 ,  宮宇地 真人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251514
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 熱抵抗の著しく低減された半導体装置を歩留まりよく提供する。【構成】 バンプ4を具備した半導体チップ1を実装した半導体装置において、正置した(反転しない)半導体チップの、バンプ最高部を結ぶ平面と略一致するような、半導体チップにごく隣接した接続面と、該バンプと該接続面とを接続する部材5(以下、接続部材)とを具備し、上記半導体チップ上で、上記接続部材によって直上を被覆されない部分を持ち、該非被覆部分から、電極を取り出す手段を有する。

請求項（抜粋）：

外部との接続用の端子電極を一の面に複数有する半導体チップが装着された半導体装置であって、上記複数の端子電極を複数の集まりに分割し、該複数の集まりのうちの1つの集まりの端子電極にはバンプが形成され、該バンプの形成された端子電極の集まりに平坦面を有する熱的伝導性を有する1つの接続部材が上記平坦面にバンプを接続することにより接続され、かつ 他の端子電極の集まりの上部は上記接続部材で覆われないようにし、他の接続手段にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/60 321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 23/12 J ,  H01L 29/80 H