特許

J-GLOBAL ID：200903082479762009

レジストパターン形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 藤野 敦子 ,  熊田 輝彦 ,  長江 偉 ,  巳浪 裕之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168100
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005527
出願日： 2003年06月12日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】従来のレジスト材料および装置を用いて、サーマルフローによりレジストパターンを形成する際に、当該レジストパターンを微細に制御することができる方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板上にレジスト膜を形成する工程と、パターンを形成するように該レジスト膜を露光する工程と、レジスト膜を現像する工程と、該現像後のレジストパターンの全面または一部面に放射線を照射する工程と、該放射線照射後のレジストパターンにベークを施して該パターンの寸法を変化させる工程とを包含する、レジストパターン形成方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト膜を形成する工程と、パターンを形成するように該レジスト膜を露光する工程と、レジスト膜を現像する工程と、該現像後のレジストパターンの全面または一部面に放射線を照射する工程と、該放射線照射後のレジストパターンにベークを施して該パターンの寸法を変化させる工程とを包含する、レジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40

FI (3件)：

H01L21/30 570 ,  G03F7/039 ,  G03F7/40 511

Fターム (18件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BF02 ,  2H025BF14 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096HA14 ,  5F046LA18