特許
J-GLOBAL ID：200903082482871978
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301255
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145976
出願日： 1992年11月11日
公開日（公表日）： 1994年05月27日
要約：
【要約】【目的】 装置を大型化したり複雑にすることなく良好な薄膜を安定して形成させる。【構成】 真空槽10の内部には、プラズマ発生用電源4が接続されたバッキングプレート2が設けられ、バッキングプレート2上にはターゲット1が支持される。ターゲット1には図示左方に搬送されるポリエステルフィルム5が対向配置される。ターゲット1の背面には磁石ユニット3が配置される。磁石ユニット3は、ポリエステルフィルム5の搬送方向に間隔をおいて互いに平行に配置された2つの磁石3aを有し、その磁極は互いに逆に配置される。これにより、ターゲット1の表面に作られる平行磁場のピーク値を結んだ尾根線が閉ループを形成しないので、プラズマ中の電子が特定箇所に滞留せず、均一な膜厚の薄膜が形成される。
請求項（抜粋）：
真空槽と、前記真空槽内に配置される被薄膜形成部材に対向してターゲットを支持する電極と、前記被薄膜形成部材と前記ターゲットとの間にプラズマ発生用の放電を起こさせるための、前記電極に接続された高電圧印加手段と、前記電極の背面に配置された、前記高電圧印加手段により発生する電界と直交する磁界を発生するための複数個の磁石とを有する薄膜形成装置において、前記各磁石は、それぞれ前記ターゲットの前記被薄膜形成部材との対向面に作られる平行磁場のピーク値を結んだ尾根線が閉ループを形成しないように配置されていることを特徴とする薄膜形成装置。
引用特許：
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