特許

J-GLOBAL ID：200903082483703130

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法

発明者： ジャマル・ラムダニ ,  ラビンドラナス・ドローパッド ,  ツィイ・ユ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213906
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068467
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 薄く安定な、シリコンとの結晶性ケイ酸塩インタフェースを作成する方法を提供する。【解決手段】 半導体構造を作成する方法は:表面12を有するシリコン基板10を設ける段階;シリコン基板10の表面12上に非晶質二酸化シリコン14を形成する段階;非晶質二酸化シリコン14の上に金属酸化物18を設ける段階;半導体構造を加熱してシリコン基板10の表面12に隣接するシード層20からなるインタフェースを形成する段階;およびシード層20上に高誘電率酸化物22の1つ以上の層を形成する段階;を備える。

請求項（抜粋）：

半導体構造を作成する方法であって:表面(12)を有するシリコン基板(10)を設ける段階;前記シリコン基板の前記表面に、ケイ酸塩結晶性材料からなるシード層(20)を形成する段階;および前記シード層に1層以上の高誘電率酸化物層(22)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/32

FI (3件)：

H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 M ,  C30B 29/32 C