特許
J-GLOBAL ID：200903082491942160
低電圧用ツェナーダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007349
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 ガードリング最表面部(深さ約0〜1μm)の不純物濃度低下によるESD耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。【解決手段】 ガードリング酸化押し込み後、または主接合の酸化押し込み後にガードリングと同じ導電タイプの不純物を固相拡散、ガス拡散またはイオン注入ドープし、ガードリングの最表面層(深さ約0〜1μm)に、高濃度(1.0×1020〜1.0×1022個/cm3 )不純物ドープ層を形成し、ガードリングの酸化押し込み以降の工程の熱履歴でのガードリング最表面層の不純物濃度低下を補償し、高ESDで低接合容量の低電圧用ツェナーダイオードを安定的に製造する。
請求項（抜粋）：
主接合の外周にガードリングを形成する構造の低電圧用ツェナーダイオードにおいて、ガードリングの表面層に、高ESD耐量をもたらす不純物ドープ層を形成したことを特徴とする低電圧用ツェナーダイオード。
引用特許：
前のページに戻る
