特許
J-GLOBAL ID：200903082495502149

基板処理装置

発明者：
紺谷 忠司

紺谷 忠司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205950
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056908
出願日： 2003年08月05日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】ガスをウエハの全面にわたって均一に供給する。【解決手段】ウエハ1群を保持するボート25を収容して処理する処理室32を形成したプロセスチューブ31と、処理室32に処理ガス61を供給するガス供給管35と、処理室32を排気する排気管36と、処理室32の内周面にプラズマ室40を形成するように敷設された隔壁41と、隔壁41に開設された吹出口42とを備えたバッチ式リモートプラズマCVD装置において、処理室32には上下端板51、52と四本の支柱53と一対の仕切板54、54を備えた仕切板アッシー50がボート25と同心円に設置されており、両仕切板54、54の間はガス供給管側流通口55と排気管側流通口56とを構成している。【効果】吹出口から吹き出したガスは仕切板のガス供給管側の流通口からウエハ間に流れ込んでウエハ全面に行き渡るので、ガス処理は均一に施される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置され前記ガス供給管側と前記排気管側とに各流通口をそれぞれ有する仕切板とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324
FI (3件)：
H01L21/31 A ,  H01L21/22 511S ,  H01L21/324 R
Fターム (14件)：
5F045AA15 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EF13 ,  5F045EH18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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