レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013285
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217092
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホールパターンが存在しない領域でも、レジストの脱保護反応を進行させ、レジスト表面部分を親水性にして現像欠陥の発生を少なくする。【解決手段】高解像度化学増幅系レジストを用いてこのレジスト内に所定マスクパターンのマスク1によりコンタクトホールパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、前記レジストを露光する際に、コンタクトホールパターンが存在する領域2は、所定コンタクトホールパターンのあるマスクにより十分な露光量で露光してコンタクトホールパターン4を形成すると共に、前記コンタクトホールパターンが存在しない領域3を十分低い露光量で露光することにより、この領域3の前記レジストの表面をわずかに膜べりさせ、このレジストの表面を親水性にする。

請求項（抜粋）：

高解像度化学増幅系レジストを用いてこのレジスト内に所定マスクパターンのマスクによりコンタクトホールパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、前記レジストを露光する際に、コンタクトホールパターンが存在する領域は、所定コンタクトホールパターンのあるマスクにより十分な露光量で露光してコンタクトホールパターンを形成すると共に、前記コンタクトホールパターンが存在しない領域を十分低い露光量で露光することにより、この領域の前記レジストの表面をわずかに膜べりさせ、このレジストの表面を親水性にしたことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 568

Fターム (3件)：

5F046AA25 , 5F046AA28 , 5F046DA02

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