電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192681
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039762
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】ソース端でのキャリアの移動速度を速めることができ、MOSFETの高速動作化をはかる。【解決手段】埋め込み絶縁膜12上に形成された歪みSiGe層20と、このSiGe層20上にゲート酸化膜31を介して形成されたゲート電極32と、ゲート電極32の両側でSiGe層20にp型不純物をドープして形成されたソース,ドレイン領域34,35とを備えた電界効果トランジスタにおいて、SiGe層20のチャネル領域のGe組成を、ゲートの中心付近で最大(0.35)とし、ソース,ドレイン領域34,35で最小(0.065)とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si1-x-y Gex Cy 結晶(1>x>0,1>y≧0)のチャネル層を有する電界効果トランジスタであって、前記チャネル層のソース端近傍において、ドレイン端に向けてGe組成が増大していることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L29/786 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78

FI (9件)：

H01L29/78 618B , H01L21/205 , H01L29/78 618C , H01L29/78 616V , H01L29/78 618E , H01L29/78 618A , H01L21/302 101B , H01L29/78 301B , H01L29/78 301S

Fターム (93件)：

5F004BA04 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA11 , 5F004EA13 , 5F004EB08 , 5F004FA02 , 5F045AA06 , 5F045AA07 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB33 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DB02 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG07 , 5F110GG11 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG41 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK40 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110QQ19 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB00 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CF04

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