特許
J-GLOBAL ID:200903082500541670

高透磁率MnZnフェライトの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小林 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-155824
公開番号(公開出願番号):特開平8-022912
出願日: 1994年07月07日
公開日(公表日): 1996年01月23日
要約:
【要約】【目 的】 100 kHZ 以上の高周波域で高透磁率を有するMnZnフェライトを効率よく、低コストで製造する方法の提案。【構 成】 MnO :20〜30 mol%、ZnO :10〜25 mol%、残部Fe2O3 を主成分とし、さらにフェライトの結晶粒界電気絶縁用添加物を加えたものを、仮焼し、微粉砕した後成形し、さらに2回以上の焼成を施す。
請求項(抜粋):
MnO :20〜30 mol%、ZnO :10〜25 mol%、残部Fe2O3 を主成分とする原料粉末を混合し、仮焼し、微粉砕した後成形し、さらに焼成するMnZnフェライトの製造方法において、前記原料粉末にさらにフェライトの結晶粒界絶縁用添加物を加え成形したのち、2回以上の焼成を施すことを特徴とする高透磁率MnZnフェライトの製造方法。
IPC (3件):
H01F 1/34 ,  C01G 49/00 ,  C04B 35/38
FI (2件):
H01F 1/34 B ,  C04B 35/38 Z

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