特許

J-GLOBAL ID：200903082504602615

半導体装置

発明者： 東條 潤一郎
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297369
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100756
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】ワイヤ素材とパッド素材との合金化が進行することによる、短絡不良を防止した半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板(12)上の絶縁膜(13)表面上に、第1の1stアルミ電極(14)及び第2の1stアルミ電極(15)とを離間して形成する。それらの上に層間絶縁膜(16)、2ndアルミ電極(17)、ワイヤボール(11)を形成する。このとき、ワイヤボール(11)直下の層間絶縁膜(16)によって、1stアルミ電極(12)と2ndアルミ電極(17)とが完全に絶縁するように形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板と、前記基板の上に、交互に且つ互いに平行となるように配置した、第1と第2の1st電極と、前記1st電極を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成したスルーホールと、前記層間絶縁膜の上を延在し、前記スルーホールを介して対応する前記1st電極に接続された、2nd電極と、を具備する多層配線構造の半導体装置において、少なくともボンディングワイヤが接続されるボンディングパッドの下部において、前記1st電極と前記2nd電極とが、前記層間絶縁膜によって完全に絶縁していることを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/88 T ,  H01L 29/72

Fターム (17件)：

5F003AP02 ,  5F003BE09 ,  5F003BH02 ,  5F003BH16 ,  5F003BH94 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX19 ,  5F044EE00 ,  5F044EE12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-283040