特許

J-GLOBAL ID：200903082519326967

光トランジスタ

発明者： 水島 宜彦 ,  廣畑 徹 ,  中嶋 和利 ,  飯田 孝 ,  藁科 禎久 ,  杉本 賢一 ,  鈴木 智子
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074301
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275734
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 新しい原理に基づく光トランジスタを提供する。【構成】 信号入力としての光に感応し、外部回路に向けて増倍された電気信号を出力する光トランジスタにおいて、陽極21および陰極22からなる一対の電極が設定された半導体11と、一対の電極間の半導体中に所定の電界を印加する電界印加手段と、陽極と半導体の界面に信号入力としての光を照射する光照射hv手段と、この光照射により陽極で生成した正孔を半導体に注入し、陰極から半導体への電子注入を促進する陰極手段とを備えたことを特徴とする。増幅すべき入力信号としての光が陽極に照射されると、正孔が生成して半導体に注入される。すると、陰極からは電子注入がされ、外部回路に対して増幅した電気信号が出力される。

請求項（抜粋）：

信号入力としての光に感応し、外部回路に向けて増倍された電気信号を出力する光トランジスタにおいて、陽極および陰極からなる一対の電極が設定された半導体と、前記一対の電極間の前記半導体中に所定の電界を印加する電界印加手段と、前記陽極と前記半導体との界面近傍に信号入力としての光を照射する光照射手段と、この光照射により前記陽極で生成した正孔を前記半導体に注入し、前記陰極から前記半導体への電子注入を促進する陰極手段とを備えたことを特徴とする光トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 31/107 ,  H01L 31/108 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 C ,  H01L 31/10 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-107278
  
• 特公昭43-002784
  
• 特開平2-112881
  
• 特開昭48-023643