特許

J-GLOBAL ID：200903082520275560

単結晶引き上げ用石英るつぼ

発明者： 荻野 信義 ,  福岡 敏人 ,  松村 光男 ,  松井 宏 ,  佐藤 恭彦 ,  青山 雅明 ,  篠宮 英一 ,  藤ノ木 朗
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  信越石英株式会社
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092779
出願日： 1987年12月03日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 熱の伝達が均一に行われ、しかも単結晶引き上げに際して内壁面の肌荒れが極めて少なく、かつ安定した単結晶引き上げを行うことができるとともに、単結晶引き上げの熱による変形を極力抑制することができる、高温でも強度の高い石英るつぼを提供する。【構成】 石英るつぼを外層と内層とから構成する。外層は気泡を含む半透明石英ガラス層とし、その気泡は、直径10ないし250μm で、1cm3 あたり20,000個以上含まれる。内層は実質的に無気泡で、るつぼの内面となる表面が平滑である。この内層は、0.3mm以上の厚さで形成される。そして、外層と内層とは、一体融合的に接合されている。半透明石英ガラス層の外表面近傍に結晶質石英成分が偏在する。

請求項（抜粋）：

直径10〜250μm の気泡を1cm3 当たり20,000個以上含む半透明石英ガラス層と、この層の内表面に一体融合的に形成された実質的に無気泡でかつ表面が平滑な厚さ0.3mm以上の透明石英ガラス層とからなり、前記半透明石英ガラス層中に結晶質石英成分が存在することを特徴とする単結晶引き上げ用石英るつぼ。

IPC (4件)：

C30B 15/10 ,  C03C 10/14 ,  C03C 11/00 ,  C03C 17/04