特許
J-GLOBAL ID：200903082523583435
フローセンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-215760
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】基体の空洞部をプラズマエッチングによる加工で形成して所定の径を有し、薄くなりすぎることのない下地誘電体層のダイヤフラムを残す。【構成】基体の一面上に下地誘電体層よりプラズマエッチング速度の遅いストップ層を介して下地誘電体層を形成し、基体の他面側からのプラズマエッチングにより空洞部を加工する。例えば、下地誘電体層にCVD法あるいはスパッタ法による酸化膜を用いる場合、ストップ層に熱酸化膜あるいは窒化膜を用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン基体に形成された空洞部上に存在するダイヤフラムを形成する下地誘電体層の反空洞部側の表面上に発熱抵抗体およびそれをはさむ測温抵抗体を有するフローセンサの製造方法において、基体の一面上に下地誘電体層よりプラズマエッチング速度の遅いストップ層を介して下地誘電体層を形成し、基体の他面側からのプラズマエッチングにより空洞部を加工することを特徴とするフローセンサの製造方法。
IPC (2件)：
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