特許
J-GLOBAL ID：200903082526087528
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221887
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064344
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】半導体チップ面積が縮小しコスト低減が容易になる高耐圧MOSFETを搭載した半導体装置を実現する。【解決手段】半導体基板の所定の領域に形成された一導電型の第1の拡散層と、第1の拡散層を内側としてその周りに形成され環状のパターン形状をもつ厚い絶縁膜と、厚い絶縁膜下の前記半導体基板表面に形成され第1の拡散層より不純物低濃度で同導電型の第2の拡散層とを有し、第1の拡散層と第2の拡散層とをドレイン領域とし、厚い絶縁膜パターンの外側に形成された半導体基板上の薄い絶縁膜と厚い絶縁膜とをゲート絶縁膜とし、ゲート絶縁膜上に形成され厚い絶縁膜の一部で切断された導電体薄膜パターンをゲート電極とし、前記ゲート電極を挟んで前記厚い絶縁膜パターンの外側に形成された同導電型の第3の拡散層をソース領域とする高耐圧MOSFETを搭載する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定の領域に形成された一導電型の第1の拡散層と、前記第1の拡散層を内側としてその周りに形成され環状のパターン形状をもつ厚い絶縁膜と、前記厚い絶縁膜下の前記半導体基板表面に形成され前記第1の拡散層より低不純物濃度で同導電型の第2の拡散層とを有し、前記第1の拡散層と前記第2の拡散層とをドレイン領域とし、前記厚い絶縁膜パターンの外側に形成された前記半導体基板上の薄い絶縁膜と前記厚い絶縁膜とをゲート絶縁膜とし、前記ゲート絶縁膜上に形成され前記厚い絶縁膜の一部で切断され半環状のパターン形状をもつ導電体薄膜をゲート電極とし、前記ゲート電極を挟んで前記厚い絶縁膜パターンの外側に形成された同導電型の第3の拡散層をソース領域とする高耐圧MOSFETを搭載してなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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