特許

J-GLOBAL ID：200903082528596837

被膜形成装置及び被膜形成方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097479
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293474
出願日： 1985年11月18日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】 接合特性の優れた絶縁膜、半導体膜の積層膜を得る。【解決手段】 空心コイル(5)、(5’)により磁場を加えると同時に、マイクロ波発振器(3)によりマイクロ波を共鳴空間(2)に供給することにより、非生成物気体(18)をサイクロトロン共鳴をさせて活性化せしめ電子・励起気体(21)とし、共鳴空間(2)外部の反応空間(1)で、電子・励起気体(21)により生成物気体(22)を活性化させる。生成物気体(22)を十分反応空間(1)で広げ、かつサイクトロン共鳴をさせるため、反応空間(1)、共鳴空間(2)の圧力を、コントロ-ルバルブ(15)によりタ-ボ分子ポンプ(14)と真空ポンプ(9)の排気量を調整することで、制御する。

請求項（抜粋）：

反応容器と、該反応容器に気体を供給する気体供給手段と、前記反応容器内にマイロク波を導入するマイクロ波導入手段と、電子サイクロトロン共鳴を反応容器内につくり出す磁場を印加する磁場印加手段と、前記反応容器内に設けられた基板保持手段と、前記反応容器を排気する排気手段とを有する被膜形成装置において、前記排気手段は、真空ポンプと前記反応容器との間にターボ分子ポンプを有し、前記反応室容器内の圧力を調節するための調節弁が、前記反応容器と前記ターボ分子ポンプとの間に設けられていることを特徴とする被膜形成装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-170234
  
• 特開昭60-138909
  
• 特開昭60-089919
  
• 特開昭62-118520