特許
J-GLOBAL ID：200903082530891242
薄膜半導体装置及びその製造方法並び液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063196
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】高移動度かつ低オフ電流の逆スタガ構造TFTを形成し、最終的には液晶表示装置において、駆動用周辺回路を表示部と同一基板上に内蔵することが可能なTFTを形成することを目的とする。【構成】絶縁性基板上にゲート電極を形成した後、プラズマCVD法でSiN膜を堆積する。次に、プラズマCVD法でa-Si:H膜を10〜40nmの膜厚で堆積した後、エキシマレーザを130〜200mJ/cm2 のエネルギーで照射し、前記a-Si:H膜をpoly-Si膜に変換する。次に、前記poly-Si膜の上部にプラズマCVD法でa-Si:H膜を堆積した後、ソース・ドレイン領域を形成し、最後にパッシベーション膜を形成する。この様にして形成したTFTはエキシマレーザの照射時にSiN膜の膜質を損なうことなく、高移動度かつ低オフ電流の特性となる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,チャンネル領域,ソース領域,ドレイン領域を備えた逆スタガ構造の薄膜半導体装置において、前記チャネル領域をゲート絶縁膜と接する側から多結晶シリコン,非晶質シリコンの順で二層構造とし、かつ前記多結晶シリコンの膜厚が10nm以上40nm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/12
