特許
J-GLOBAL ID：200903082531886641
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280409
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 高温・低温温度サイクル試験時等で発生するボンディングワイヤーの断線不良を改善し、高信頼な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子搭載台部2上に搭載された半導体素子1の電極と、内部リード4とをボンディングワイヤー3で接続した半導体装置であって、前記内部リード4の先端位置から前記ボンディングワイヤー3を接続する内部リード4上でのボンディングワイヤーの長さを相対的にワイヤーボンディングに必要とされる最小限の長さよりも長く設定し、内部リード4の先端位置からワイヤーボンディング位置までの距離に、ボンディングワイヤーの断線の原因となる応力を低減させるに必要な距離として少なくとも0.5mm程度以上を確保している。
請求項（抜粋）：
半導体素子搭載台部上に搭載された半導体素子と、内部リードと、前記半導体素子の電極部と内部リードを接続するボンディングワイヤーと、前記半導体素子、半導体素子搭載台部およびボンディングワイヤーを封止する封止用樹脂とから成る半導体装置であって、前記内部リード先端位置から前記ボンディングワイヤーを接続する内部リード上でのボンディングワイヤーの長さを相対的にワイヤーボンディングに必要とされる最小限の長さよりも長く設定し、内部リードの先端位置から、ワイヤーボンディング位置までの距離に、ボンディングワイヤーの断線の原因となる応力を低減させるに必要な距離を確保したものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
H01L 21/60 301 B
, H01L 21/60 301 D
