特許

J-GLOBAL ID：200903082535328392

酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム

発明者： 松田 修成 ,  伊関 清司 ,  森原 芳治 ,  宇野 利夫 ,  大谷 寿幸 ,  山田 陽三
出願人/特許権者： 東洋紡績株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024578
公開番号（公開出願番号）：特開平5-186622
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：

【要約】【目的】 包装フィルムにおいて、耐レトルト性、耐屈曲性、ガスバリア性に優れた酸化硅素系ガスバリアフィルムを提供することにある。【構成】 プラスチックフィルムの少なくとも片面に真空蒸着した酸化硅素系薄膜のガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を1.80〜2.20とするによってガスバリア性に優れ、また耐レトルト性、耐ゲルボ性(耐屈曲性)の極めて良好であり実用上極めて有効な酸化硅素系ガスバリアフィルムを提供できる。

請求項（抜粋）：

プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が1.80〜2.20であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム。

IPC (4件)：

C08J 7/06 ,  B32B 7/02 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/06