特許

J-GLOBAL ID：200903082553674095

半導体発光装置

発明者： 佐野 武志
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349346
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光装置の色むらの発生を抑制する。【解決手段】 基体(3, 4, 11)と、基体(3, 4, 11)に固着された半導体発光素子(2)と、半導体発光素子(2)を被覆するポリメタロキサン又はセラミックであるコーティング材(10)とを半導体発光装置に設ける。コーティング材(10)は蛍光物質(13)が配合された表面層(10a)と、表面層(10a)の下方に形成され且つ表面層(10a)より蛍光物質(13)の含有量が少ない内部層(10b)とを備えている。略均一な厚さを有する表面層(10a)は半導体発光素子(2)から離間して上方に形成されるので、半導体発光装置(2)の点灯時の色むらを防止することができる。また、紫外線、近紫外線などの波長の短い光が照射されても、ポリメタロキサン又はセラミックから形成されたコーティング材(10)は劣化しない。

請求項（抜粋）：

基体と、該基体に固着された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆するコーティング材とを備えた半導体発光装置において、前記コーティング材は、光透過性を有するポリメタロキサン又はセラミックであり、前記コーティング材は蛍光物質が混入された表面層と、該表面層の下方に形成され且つ前記蛍光物質が混入されていないか又は前記表面層より前記蛍光物質の含有量が少ない内部層とを備えたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01S 3/18 612

Fターム (24件)：

5F041AA14 ,  5F041AA44 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA47 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041EE25 ,  5F073AB16 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA21 ,  5F073FA27 ,  5F073FA29