特許
J-GLOBAL ID:200903082555656647

テルピリジン系の基を有するエレクトロルミネセント金属超分子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 田中 光雄 ,  矢野 正樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-549023
公開番号(公開出願番号):特表2006-504779
出願日: 2003年10月23日
公開日(公表日): 2006年02月09日
要約:
【化1】 テルピリジン系単量体および遷移金属に基づく高度に蛍光性の金属超分子が得られた。これらの強固な超分子は、紫から青、緑または黄色への発光によって、高量子収率を提供する。それらは、高輝度、高純度、低コスト、および優れた熱安定性のような所望の性質のため、高分子発光ダイオード(PLED)に対する見込みのある放射体として現れた。超分子は、式I[式中、Mは族IB、IIB VIIA、VIIIAまたはランタニド金属を表し;Rは独立して各出現において、水素、ハロゲン、アルキル、置換されたアルキル、アリール、置換されたアリール、または認められている供与体および受容体群よりなる群から選択され;Xは独立して各出現において、窒素または炭素原子であり;R'はアルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキルケトン、アリールケトン、ヘテロアリールケトン、アルキルエステル、アリールエステル、ヘテロアリールエステル、アルキルアミド、アリールアミド、ヘテロアリールアミド、アルキルチオ、アリールチオ、フルオロアルキル、フルオロアリール、アミン、イミド、カルボキシレート、スルホニル、アルキレンオキシ、ポリアルキレンオキシ、またはその組合せから選択され;nは1ないし100,000の整数であり;Zは対イオンであって、アセテート、アセチルアセトネート、シクロヘキサンブチレート、エチルヘキサノエート、ハライド、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ニトレート、ペルクロレート、ホスフェート、スルフェート、テトラフルオロボレートまたはフルオロメタンスルホネートの群から選択され;yは0ないし4の整数である]によって表される分子構造を有する。
請求項(抜粋):
よりなる群から選択される少なくとも1つの反復する構造単位を含む超分子。
IPC (6件):
C07D 213/22 ,  C07D 413/14 ,  C08G 79/00 ,  C09K 11/06 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26
FI (8件):
C07D213/22 ,  C07D413/14 ,  C08G79/00 ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 680 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z
Fターム (30件):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007CB01 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4C055AA01 ,  4C055AA15 ,  4C055BA02 ,  4C055BA03 ,  4C055BA29 ,  4C055BB01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA01 ,  4C055EA02 ,  4C063AA05 ,  4C063BB08 ,  4C063CC58 ,  4C063DD12 ,  4C063EE05 ,  4J030CA01 ,  4J030CA03 ,  4J030CC01 ,  4J030CC02 ,  4J030CC04 ,  4J030CC12 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CG03 ,  4J030CG29
引用文献:
審査官引用 (9件)
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