特許

J-GLOBAL ID：200903082558592267

窒化シリコン膜のドライエッチング方法

発明者： 日数谷 健一 ,  齋藤 勉
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273293
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124924
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,半導体デバイスの絶縁膜として多用される窒化シリコン膜のドライエッチング方法に関し,下地の二酸化シリコン膜とのエッチング選択比を大きくすることを目的する。【構成】 窒化シリコン膜3のECRプラズマエッチングにおいて, エッチングガス5に六弗化硫黄, 水素, 窒素の混合三元系ガスを用いるように,また,エッチングガス5の混合比を,六弗化硫黄に対して, 水素1〜5%,窒素5〜20%とするように構成する。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜(3) のECRプラズマエッチングにおいて,エッチングガス(5) に六弗化硫黄, 水素, 窒素の混合三元系ガスを用いることを特徴とする該窒化シリコン膜(3) のドライエッチング方法。