特許

J-GLOBAL ID：200903082559311946

薄膜導体層及び前記薄膜導体層を用いた磁気抵抗効果素子並びに薄膜導体層の製造方法

発明者： 管野 広之
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022236
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の導体層を、DCマグネトロンスパッタ装置内で成膜すると、前記導体層に引っ張り応力が作用し、前記導体層は膜剥がれを起し易いといった問題があった。【解決手段】 導体層23は、その膜面に対する垂直方向における結晶面間隔が、バルク材の場合における前記結晶面間隔よりも大きくなるように形成されている。これにより、前記導体層23には、圧縮応力が作用し、前記導体層23の膜剥がれを防止することができる。

請求項（抜粋）：

金属材料によって薄膜形成された導体層の、その膜面に対する垂直方向の結晶面間隔が、導体層と同じ金属材料で形成されるバルク材の膜面に対する垂直方向の結晶面間隔以上で形成されていることを特徴とする薄膜導体層。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  C23C 14/38 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  C23C 14/38 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12

Fターム (25件)：

4K029BA02 ,  4K029BA07 ,  4K029BA16 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12