特許

J-GLOBAL ID：200903082564067182

シリコンウエーハの酸素析出方法

発明者： 原 明人 ,  中西 俊郎 ,  青木 正樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-299850
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308076
出願日： 1992年11月10日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】チョクラルスキー法により製造されたシリコンウエーハ内部に酸素を析出させるシリコンウエーハの酸素析出方法に関し、酸素濃度が低いシリコンウエーハでも、実用的な短い処理時間により十分な量の酸素析出物を形成することができるシリコンウエーハの酸素析出方法を提供することを目的とする。【構成】シリコンウエーハを約1000〜1200°Cの温度範囲内に加熱して表層の酸素を外方に拡散する外方拡散熱処理を行った後、約300〜600°Cの温度範囲内での低温熱処理を水素を含んだ結晶又は水素を含んだ雰囲気中で行うようにする。この低温熱処理の後、酸素の析出核を形成させるために約600〜900°Cの熱処理を行い、引き続き、酸素析出物を成長させるために約900〜1100°Cの高温熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

シリコンウエーハを加熱して表層に含有する酸素を外方に拡散させる外方拡散熱処理工程と、前記シリコンウエーハを300〜600°Cの低い温度で加熱する低温熱処理工程と、前記シリコンウエーハを600〜1150°Cの温度範囲内で加熱して酸素を析出させる酸素析出熱処理工程とを有し、前記シリコンウエーハ内部に酸素を析出させるシリコンウエーハの酸素析出方法において、前記低温熱処理工程を、水素を含んだ結晶又は水素を含んだ雰囲気中で行うことを特徴とするシリコンウエーハの酸素析出方法。