特許

J-GLOBAL ID：200903082568266198

半導体光電変換装置とその製造方法

発明者： 重中 圭太郎 ,  松下 景一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138447
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330505
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】保護層の比抵抗値が低く、ダイオード特性の抵抗面積値積が低く、高品質の半導体光電変換装置を形成することが困難であった。【解決手段】単結晶CdZnTeからなる基板11上には化学気相成長法により、HgCdTeからなる受光層12が形成される。この受光層12と連続してCdTeからなる保護層13が形成される。受光層12内の導電領域14にはインジウム電極15が接続される。保護層13には炭素が例えば2×1019cm-3の濃度で添加され、高比抵抗とされている。したがって、ダイオード特性の抵抗面積値積を高くでき、高品質の半導体光電変換装置を形成できる。

請求項（抜粋）：

第1の化合物半導体からなる基板と、前記基板上に形成される第2の化合物半導体からなる受光層と、前記受光層の表面領域内に形成され、受光層と異なる導電型の導電領域と、前記導電領域に接続された電極と、前記受光層上に形成され、前記受光層内の炭素濃度より高い濃度の炭素が添加された保護層とを具備することを特徴とする半導体光電変換装置。

IPC (5件)：

H01L 31/0264 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/469 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (5件)：

H01L 31/08 N ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/469 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K