特許

J-GLOBAL ID：200903082568421916

高記録密度磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

発明者： 万波 和夫 ,  松下 恵造 ,  大須賀 卓生 ,  西村 佳昭
出願人/特許権者： 西村精工株式会社 ,  旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021810
公開番号（公開出願番号）：特開平10-222842
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】表面欠陥のきわめて少ない高記録密度磁気ディスク用ガラス基板を得る。【解決手段】表面粗さRmax 20nm以下に研磨したガラス基板の表面をガラスの転移温度以下の温度でイオン交換した後、かかる基板の表面を研磨する。イオン交換後の研磨量は、イオン交換による圧縮応力層の厚さの5分の1以下が好ましい。

請求項（抜粋）：

表面粗さRmax 20nm以下に研磨したガラス基板の表面をガラスの転移温度以下の温度でイオン交換した後、かかる基板の表面を研磨することを特徴とする高記録密度磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

IPC (3件)：

G11B 5/84 ,  C03C 19/00 ,  C03C 21/00 101

FI (4件)：

G11B 5/84 Z ,  G11B 5/84 A ,  C03C 19/00 A ,  C03C 21/00 101