特許
J-GLOBAL ID:200903082569794031
基板、基板の製造方法および基板を用いた光電変換装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大野 精市
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-293096
公開番号(公開出願番号):特開2003-231968
出願日: 2002年10月04日
公開日(公表日): 2003年08月19日
要約:
【要約】【課題】 太陽電池の光電変換層への入射光量を多くするために、光閉じ込め効果を発揮するための最適な凹凸形状を備え、かつ、可視光短波長域の吸収が少ない透明導電膜を備える基板を提供する。さらには、その基板を用いた光電変換装置を提供する。【解決手段】 膜厚250nm以下のバッファ層と、塩化スズを原料として熱分解法により形成した透明導電膜とをこの順で備えた基板。透明導電膜は、400〜700nmの波長域において、吸収係数が1×103cm-1以下であって、吸収係数の最大値が最小値の1.7倍以下であり、シート抵抗が15Ω/□以下である。基板とバッファ層との間に、屈折率1.6〜2.5、厚さ5〜100nmの第1下地層と、屈折率1.4〜2.0、厚さ5〜100nmの第2下地層とからなる下地膜を備える基板。
請求項(抜粋):
膜厚250nm以下のバッファ層と、塩化スズを原料として熱分解法により形成した透明導電膜とをこの順で備えた基板。
IPC (3件):
C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 31/04
FI (3件):
C23C 16/40
, C23C 16/46
, H01L 31/04 M
Fターム (28件):
4K030AA03
, 4K030AA04
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA16
, 4K030BB12
, 4K030CA06
, 4K030CA13
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA10
, 4K030JA20
, 4K030LA04
, 4K030LA16
, 5F051AA05
, 5F051CA15
, 5F051CB12
, 5F051CB27
, 5F051CB30
, 5F051DA16
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA17
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5F051GA13
, 5F051GA20
引用特許: