特許

J-GLOBAL ID：200903082571835306

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法

発明者： 坂下 幸雄 ,  大久保 秀一 ,  十河 清二 ,  岡崎 均
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-093964
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283437
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【構成】 単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板としてタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムを用いる。【効果】 結晶性の優れた窒化ガリウム系半導体結晶をエピタキシャル成長させることができる。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に窒化ガリウム系半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板としてタンタル酸リチウムあるいはニオブ酸リチウムを用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-123190
  
• 特開平3-209891
  
• 特開平4-209577
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社