特許

J-GLOBAL ID：200903082574967769

衝撃センサ及びこれを用いた衝撃検出装置、並びに衝撃センサの製造方法

発明者： 渡辺 俊二
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-051957
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 小型化、低コスト化、高感度化、高精度化及び高信頼性化を図る。【解決手段】 衝撃センサ100は、支持体11と、該支持体11により支持されて片持ち梁となる振動子12と、該振動子12に形成され当該振動子12の変位を検出する薄膜型変位センサ13とを備える。支持体11はシリコン層14を有し、振動子12はシリコン層14と一体に連続したシリコン薄板15を有する。薄膜型変位センサ13は、PZT薄膜16と、該PZT薄膜16を挟む上部電極17及び下部電極18とから構成されている。衝撃センサ100は、この構造によって、接着剤が不要となるとともに、バッチ処理により製造することができる。

請求項（抜粋）：

支持体と、該支持体により支持されて片持ち梁となる振動子と、該振動子に設けられ当該振動子の変位を検出する検出手段と、を備えた衝撃センサであって、前記支持体はシリコン基体を有し、前記振動子は、前記支持体の前記シリコン基体と一体に連続したシリコン薄板を有し、前記検出手段は、前記振動子に形成された薄膜型変位センサであって、圧電又は電歪特性を有する薄膜と、該薄膜を挟む上部電極及び下部電極とからなる薄膜型変位センサであることを特徴とする衝撃センサ。

IPC (5件)：

G01P 15/00 ,  G01P 15/09 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22

FI (5件)：

G01P 15/00 C ,  G01P 15/09 ,  H01L 29/84 Z ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z