特許
J-GLOBAL ID：200903082576013860
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008811
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203185
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体シリコン基板1の表面にある炭素系のポリマ4が損傷層5を除去するマスクとならず、平滑なシリコン基板を製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜を、炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって所定の形状に加工し、シリコン基板の表面に堆積した炭素系のポリマ及びシリコン基板にドライエッチングによって所定の形状に加工する際に生じた損傷層を、酸素及び少なくともフッ素を含むガスを用いたプラズマによって除去する半導体装置の製造方法であって、炭素系のポリマ及びシリコン基板の損傷層を除去する際に、シリコン基板のエッチング速度に対する炭素系のポリマのエッチング速度選択比を6以上とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面上に形成された絶縁膜を、炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いたドライエッチングによって所定の形状に加工する工程と、前記シリコン基板の表面に堆積した炭素系のポリマ及び前記シリコン基板に前記ドライエッチングによって所定の形状に加工する工程において生じた損傷層を、酸素及び少なくともフッ素を含むガスを用いたプラズマによって除去する工程を含み、前記炭素系のポリマ及び前記シリコン基板の損傷層を除去する工程において、前記シリコン基板のエッチング速度に対する前記炭素系のポリマのエッチング速度選択比が6以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (13件)：
5F004AA05
, 5F004AA09
, 5F004BB11
, 5F004CA02
, 5F004CA04
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004DB03
, 5F004DB23
, 5F004EB01
, 5F004EB03
