特許

J-GLOBAL ID：200903082576208792

半導体記憶装置

発明者： 小泉 治男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109293
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 EEPROMに関し、システムトラブル、人為的ミス等による電気的アクシデントに対してデータを保護することができるEEPROMを提供する。【構成】 EEPROM等の半導体記憶装置において、データの書き換えを禁止する書換禁止端子36を備え、該書換禁止端子36は、書換禁止信号EWXに基づいてデータの書き換えを禁止するように構成する。

請求項（抜粋）：

データの書き換え可能な半導体記憶装置において、データの書き換えを禁止する書換禁止端子(36)を備え、該書換禁止端子(36)は、書換禁止信号(EWX)に基づいてデータの書き換えを禁止することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  G06F 12/14 310 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 309 F ,  H01L 27/10 434