特許
J-GLOBAL ID：200903082577382265
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083868
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049184
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン電流増大による発熱に起因する絶縁性封止樹脂の劣化防止。【解決手段】 金属性のヘッダと、このヘッダ上に固定されるパワーMOSFETを構成する半導体チップと、半導体チップやヘッダ等を被う絶縁性樹脂からなる封止体とを有し、ヘッダに連なり封止体の一側面から突出する吊りリードと、封止体の一側面から並んで突出するソースリードおよびゲートリードと、封止体内に位置し半導体チップの上面の電極とソースリードおよびゲートリードを接続するワイヤとを有する半導体装置であって、ソースリードは並んだ複数本のリードで構成され、かつこれらのリードの先端は封止体の内部において1本の連結部に連結され、連結部と半導体チップの電極は太さ500μmの4本のAlワイヤで接続されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体によって少なくとも一部が被われ下面が前記封止体から露出しかつ第1電極になる金属製の支持基板と、前記支持基板に連なり前記封止体の一側面から突出する吊りリードと、前記封止体の前記一側面から並んで突出する第2電極になる第2電極リードおよび制御電極になる制御電極リードと、前記封止体に被われるとともに下面に第1電極を有し上面に第2電極と制御電極を有し下面が導電性の接合材を介して前記支持基板に固定される半導体チップと、前記封止体内に位置し前記第2電極と前記第2電極リードおよび前記制御電極と前記制御電極リードを電気的に接続するワイヤとを有する半導体装置であって、前記第2電極リードは並んだ複数本のリードで構成され、かつこれらのリードの先端は前記封止体の内部において1本の連結部に連結され、前記連結部と前記半導体チップの第2電極は並んだ複数のワイヤで接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 23/48
H01L 21/60 301 A
, H01L 23/48 P
