特許
J-GLOBAL ID：200903082577979938
ウェハーの二段式レーザー切断
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河宮 治
, 石野 正弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-591226
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526335
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
半導体ウェハーを裁断する方法は、第1(302)、第2(332)のレーザー光線を回路基板(100)の上面へ向けるステップ;コーティング層を横断して第1のレーザー光線を走査してコーティング層のスクライブ線(102)を形成するステップ;およびスクライブ線に沿って第2のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備える。本装置は、回路基板のコーティング層の上に置かれた第1の波長をもつ第1のレーザー、および第1のレーザーとは波長が異なり回路基板の表面の上に置かれた第2の波長を持つ第2のレーザー(324)を含む。コーティング層は、第1のレーザーの波長に対する第1の吸収係数を持っていて、半導体回路基板は、第1の吸収係数よりも小さい第2の吸収係数を持っている。第1のレーザー光線からのエネルギーがコーティング層に吸収されてスクライブ線を形成して、第2のレーザー光線がスクライブ線に沿って回路基板を切断する。
請求項（抜粋）：
コーティング層を持つ半導体回路基板を裁断する方法であって、以下のステップを備える:
(a)第1のレーザー光線および第2のレーザー光線を、回路基板上面へ向けるステップ;
(b)コーティング層を横断して、少なくともコーティング層の一部を除去する第1のレーザー光線を走査することにより、コーティング層にスクライブ線を形成するステップ;および
(c)スクライブ線に沿って、第2のレーザー光線で回路基板を切断して、各切断面を形成するステップ。
IPC (3件)：
H01L21/301
, B23K26/00
, B28D5/00
H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, B23K26/00 320E
, B28D5/00 A
3C069AA03
, 3C069BB01
, 3C069CA05
, 3C069EA01
, 3C069EA02
, 3C069EA03
, 3C069EA04
, 4E068AA05
, 4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA04
, 4E068CA11
, 4E068CE03
, 4E068DA10
, 4E068DA11
, 4E068DB06
