特許

J-GLOBAL ID：200903082577979938

ウェハーの二段式レーザー切断

発明者： ラン・マナー
出願人/特許権者： クリック・アンド・ソッファ・インベストメンツ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-591226
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526335
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

半導体ウェハーを裁断する方法は、第1(302)、第2(332)のレーザー光線を回路基板(100)の上面へ向けるステップ;コーティング層を横断して第1のレーザー光線を走査してコーティング層のスクライブ線(102)を形成するステップ;およびスクライブ線に沿って第2のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備える。本装置は、回路基板のコーティング層の上に置かれた第1の波長をもつ第1のレーザー、および第1のレーザーとは波長が異なり回路基板の表面の上に置かれた第2の波長を持つ第2のレーザー(324)を含む。コーティング層は、第1のレーザーの波長に対する第1の吸収係数を持っていて、半導体回路基板は、第1の吸収係数よりも小さい第2の吸収係数を持っている。第1のレーザー光線からのエネルギーがコーティング層に吸収されてスクライブ線を形成して、第2のレーザー光線がスクライブ線に沿って回路基板を切断する。

請求項（抜粋）：

コーティング層を持つ半導体回路基板を裁断する方法であって、以下のステップを備える: (a)第1のレーザー光線および第2のレーザー光線を、回路基板上面へ向けるステップ; (b)コーティング層を横断して、少なくともコーティング層の一部を除去する第1のレーザー光線を走査することにより、コーティング層にスクライブ線を形成するステップ;および (c)スクライブ線に沿って、第2のレーザー光線で回路基板を切断して、各切断面を形成するステップ。

IPC (3件)：

H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00

FI (4件)：

H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 320E ,  B28D5/00 A

Fターム (16件)：

3C069AA03 ,  3C069BB01 ,  3C069CA05 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  3C069EA03 ,  3C069EA04 ,  4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068CE03 ,  4E068DA10 ,  4E068DA11 ,  4E068DB06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マルチヘッドレーザ彫刻機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-228531   出願人：カールバーゼルレーザーテクニークゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 特開昭58-143553
  
• 特開昭56-049539
  
• 特開昭63-293939