特許
J-GLOBAL ID：200903082581692740
集束電極を具備する電界放出型陰極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243240
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 集束電極を具備する電界放出型陰極の製造において、ゲート電極の開口部に対応する部分の変形を抑制する。【解決手段】 基板1上に第1絶縁層2、ゲート電極3、第2絶縁層4、集束電極5、第3絶縁層6、開口部をパターニングしたエッチングマスク7を形成し、上記開口部の領域の第3絶縁層6と集束電極5と第2絶縁層4を異方性エッチングにより取り除くものの、第2絶縁層4が薄く残る状態でストップさせ、エッチングマスク7を取り除き、第4絶縁層8を形成し、第4絶縁層8により狭められた開口部の底部をゲート電極3が露出するまでエッチバックし、ゲート電極3と第1絶縁層2を異方性エッチングにより取り除くものの、第1絶縁層2が薄く残る状態でストップし、第4絶縁層8と第3絶縁層6と第1絶縁層2の開口部の底部をウェットエッチングにより取り除き、基板1にエミッタ10を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板上に電子を放出するためのエミッタと、第1絶縁層と、ゲート電極と、第2絶縁層と、集束電極とを有する集束電極を具備する電界放出型陰極の製造方法であって、前記基板上に前記第1絶縁層、前記ゲート電極、前記第2絶縁層、前記集束電極、第3絶縁層を順次形成する工程と、集束レンズを形成するための開口部に対応する前記第3絶縁層と、前記集束電極と、前記第2絶縁層を異方性エッチングするものの、前記ゲート電極が露出しないように前記第2絶縁層が薄く残る状態でストップする工程と、前記開口部および前記第3絶縁層上に第4絶縁層を形成する工程と、前記第4絶縁層により狭められた前記開口部の底部において、前記ゲート電極が露出するまで、前記第4絶縁層をエッチバックする工程とを備えることを特徴とする集束電極を具備する電界放出型陰極の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 3/18
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
, H01J 3/18
