フラットパネルデバイス基板の表面処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-508946
公開番号（公開出願番号）：特表平10-506201
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：

【要約】製造過程のさまざまな時点でフラットパネルディスプレイ基板の表面処理を行う方法。この方法はフォトリソグラフィ工程の後にフォトレジストを除去する際などに必要である。また製造工程の最初にガラス基板を洗浄しておくことも必要である。この方法によって表面処理中にマスク(54)を用いてカラーフィルタやポリイミド製のアライメント層などのデバイス中の層のパターニングができる。処理表面(21)全体に高強度のパルス化された放射ビーム(18)をあてる。同時に反応性ガス(24)を表面に流し、ビームがこのガスにあたる。洗浄つまり物質除去工程では、放射ビーム(18)が物質とガスとを反応させて気体生成物(26)をつくる。この生成物は表面から離れていく。ポリイミドまたはスピンオン誘電体などでは、硬化工程時に放射ビーム(60)がポリマーを架橋結合させる。同時に、流れるガス(64)は架橋結合中に排出される種の反応と除去とを促進する。基板(74)の処理は該基板を基板幅より広いビーム(60)下で平行移動させて行うことができる。また表面の複数回走査か、または複数のビームを用いた走査によっても行うことができる。

請求項（抜粋）：

反応物質を含む可動流体を供給するステップと、前記可動流体が存在する状態で、フラットパネルの表面にパルス照射を加えて表面修正反応を生じさせるステップと、を含むフラットパネル基板の表面処理方法。

IPC (7件)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1335 , G02F 1/1337 , G09F 9/00 338 , H01L 21/304 341 , H01L 21/3065

FI (8件)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1335 , G02F 1/1337 , G09F 9/00 338 , H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 N , H01L 21/302 H

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