特許
J-GLOBAL ID：200903082599955617
半導体装置の電極の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174518
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020999
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の金属電極形成に際し、高密度に微細なメッキ電極を簡単なプロセスで形成する。【構成】 無電解メッキ液5に必要な処理を施したP型シリコン基板1を浸漬し、電極形成予定位置に光6を照射する。照射部分に発生する電流により照射された部分にニッケル層7が析出し、その後、この析出金属の自己触媒作用により無電解メッキ反応が進行し金属電極が得られる。
請求項（抜粋）：
還元剤を含む金属塩溶液に半導体基板を浸漬し、半導体基板表面の電極形成予定位置に光を照射して金属を析出させて電極を形成することを特徴とする半導体装置の電極の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, C23C 18/16
, H01L 31/04
