半導体製造方法ならびにこれに用いる排ガス処理方法および装置

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出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014748
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213596
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】半導体製造工程から高濃度の窒素酸化物が排出される場合にこれを許容値以下にまで低減して、所望の半導体装置を製造し得るようにする。【解決手段】半導体ウエハを処理するウエハ処理工程2から排出され窒素酸化物を含む排ガスに希釈ガスを混合させる希釈ガス混合工程4と、希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて排ガス中の窒素酸化物を除去する選択接触還元反応工程7とを有し、希釈化された排ガスは選択接触還元反応工程7に導入される前に予熱工程6で予熱され、選択接触還元反応工程7から排出された除害後の排ガスは冷却工程9で冷却される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを製造する工程と、製造された半導体ウエハを処理してこれに集積回路を形成するウエハ処理工程と、回路が形成されたウエハを各々の半導体ペレットに分離してパッケージ内に封止する組立工程とを有する半導体製造方法であって、前記ウエハ処理工程から排出され窒素酸化物を含む排ガスと希釈ガスとを混合する工程と、希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて窒素酸化物を除去する除害工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , B01D 53/56 , H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/02 Z , H01L 21/22 511 S , B01D 53/34 129 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-293120
特開平2-021616
特開平4-290525

審査官引用 (3件)

特開平1-293120
特開平2-021616
特開平4-290525

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